بنا بر بررسی های نظری فیزیکدانان کرنل، این جریان الکتریکی منجر به جریان اسپینی عمود بر جهت جریان الکتریکی بر روی سطح بیسموت سلناید می شود و مغناطش به وجود آمده بر روی سطح به نوبه ی خود توسط برهم کنش مستقیم دو ممان مغناطیسی و هم چنین تراوش اسپین به ماده ی فرومغناطیس گشتاور بسیار بزرگی بر روی ماده فرومغناطیس اعمال می کند.
با این روش می توان جهت مغتاطش حوزه ی های مغناطیسی در حافظه های رایانه‌یی را با سرعت بسیار بالاتری تغییر داد و اطلاعات بر روی آن ها را پردازش کرد. با این روش حتی با قطع منبع جریان برق، اطلاعات از حافظه پاک نمی شوند. در این آزمایش میزان گشتاور مغناطیسی به دست آمده تا ده برابر بزرگ تر از بهترین میزان گشتاوری است که تا کنون در سیستم های دیگر مشاهده شده است و این می تواند منجر به انقلابی در بهینه سازی عملکرد رایانه های شود.به گفته واعظی این نخستین استفاده عملی و فن آورانه از عایق های توپولوژیک است. نتایچ این تحقیق در مجله نیچر منتشر شده است.