وی در ادامه با بیان اینکه اولویتهای گروه ب نیز شامل لیزر، فتونیک، زیستحسگرها، حسگرهای شیمیایی، مکاترونیک اتوماسیون و رباتیک، نیمهرساناها، کشتی سازی، مواد نوترکیب ، پلیمرها، اکتشاف و استخراج مواد معدنی، پیشبینی و مقابله با سیل و زلزله و پدافند غیرعامل است، تصریح کرد: اولویتهای گروه ج نیز شامل اُپتوالکترونیک، شبکههای مخابراتی، امنیت شبکه، کاتالیستها، مهندسی پزشکی، آلیاژهای فلزی، مواد مغناطیسی، سازههای دریایی، حمل و نقل ریلی و ... است.
غفوری‌فرد درخصوص ساخت نانوحسگر گاز H2S در دمای اتاق، گفت: این حسگر بهعنوان یکی از پروژههای تحقیقاتی جهت به کارگیری در صنعت نفت ساخته شده است. همچنین حسگر، مبتنی بر سد شاتکیِ سیلیساید پلاتین – سیلیکون متخلخل (PtSi/Porous Si) ساخته شد.
وی با بیان اینکه نتایج حاصل از تست برای اندازهگیری گاز H2S نشاندهنده دقت بالای آن در مقایسه با سایر ساختارها بود، تصریح کرد: حسگر ساخته شده برای آشکارسازی گاز منوکسید کربن نیز حساسیت مناسبی نشان داد.
غفوری فرد با بیان اینکه درحال حاضر پروژة ساخت حسگر زیستی در آزمایشگاه در جریان است که تاکنون در راستای آن دو پروژه تکمیل شده است، اظهارکرد: این پروژه‌ها شامل رشد دماپایین و عمودی نانولولههای کربنی با استفاده از تکنیکهای پلاسمای دو منطقهیی و رشد سریع نانوسیمهای عمودی اکسید روی به روش هیدروترمال با کمک امواج مایکروویو است که نتایج به دست آمده از این دو پروژه در چندین مجله و کنفرانس بینالمللی ارایه شده است.
وی خاطرنشان کرد: در ادامه با ترکیب دو روش مذکور، ساختار نامتجانس نانولولههای کربنی – اکسید روی با هدف بهکارگیری در نانوحسگر زیستی ارایه شده است. اکثر روشهای رایج رشد نانولولههای کربنی در دمای بالاتر 700 درجه سانتیگراد انجام میشود. این موضوع باعث میشود که برای رشد نانولولهها از زیرلایههای گرانی مثل سیلیکون که دمای ذوب بالایی دارند استفاده شود. کاهش دما این امکان را میدهد که از زیرلایههای ارزان مانند شیشه استفاده کرد.
غفوری فرد ادامه داد: در این پروژه نانولولههای کربنی به صورت عمودی بر روی زیرلایه شیشه به طور مستقیم در دمای پایین رشد داده شدند. از جمله کاربردهای این نانولولهها میتوان به تولید صفحات نمایشی با کیفیت بالا روی شیشه اشاره کرد. همچنین از ساختارهای مختلف آن مانند ساختار شاخهیی میتوان در حسگرها استفاده کرد.
به گفته وی، مهمترین اجزای سیستم به کار رفته در رشد نانولولهها، منابع تغذیه AC و DC آن است که باعث ایجاد پلاسمای دومنطقه‌یی جهت کاهش دما و جهتدار شدن رشد میشود. با این کار دمای رشد تا 300، 400 درجه پایین میآید.
غفوری فرد، مشکل عمده رشد نانوسیمهای اکسید روی به روش هیدروترمال - که روشی دما پایین است - را کند بودن آنها عنوان کرد و گفت: این کند بودن باعث ایجاد ساختارهایی شده که در کاربردهای نظیر حسگرها و سلولهای خورشیدی موجب محدودیت میشود. در این پروژه روشی جدید به کمک امواج مایکروویو ارایه شده که در بهترین موارد حدود 30 برابر سریعتر از روشهای رایج بوده و ساختارهای به دست آمده، محدودیتهای روشهای دیگر را ندارد.